Requirements: French
Company: Thales - CortAIx Factory (AI by Thales)
Region: Palaiseau , le-de-France
Lieu : Palaiseau, France<p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><h2><b><span>Construisons ensemble un avenir de confiance</span></b></h2><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:left><span>Thales est un leader mondial des hautes technologies spcialis dans trois secteurs dactivit : Dfense amp; Scurit, Aronautique amp; Spatial, et Cyber amp; Digital. Il dveloppe des produits et solutions qui contribuent un monde plus sr, plus respectueux de lenvironnement et plus inclusif. Le Groupe investit prs de 4 milliards deuros par an en Recherche amp; Dveloppement, notamment dans des domaines cls de linnovation tels que lIA, la cyberscurit, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte prs de 81 000 collaborateurs dans 68 pays.</span> </p><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><h2><b>Nos engagements, vos avantages</b></h2><ul><li><p style=text-align:left>Une russite porte par notre excellence technologique, votre exprience et notre ambition partage</p></li><li><p style=text-align:left>Un package de rmunration attractif</p></li><li><p style=text-align:left>Un dveloppement des comptences en continu: parcours de formation, acadmies et communauts internes</p></li><li><p style=text-align:left>Un environnement inclusif, bienveillant et respectant lquilibre des collaborateurs</p></li><li><p style=text-align:left>Un engagement socital et environnemental reconnu</p></li></ul><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><h2><b>Votre quotidien</b></h2><h2></h2>Thales Researchamp;Technology, notre centre de recherche dans les domaines matriels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et daccroitre lavance technologique et den assurer la comptitivit pour le groupe.<p style=text-align:inherit></p><p style=text-align:inherit></p><h2><b>Votre quotidien</b></h2><p></p><p>Thales sengage pour lemploi et linsertion des personnes en situation de handicap. A ce titre, notre tablissement est reconnu Organisme Handi-Accueillant.</p><p></p><p><span>En 2011, la dcouverte des proprits ferrolectriques (FE) et antiferrolectriques (AFE) dans des couches minces issues de structures fluorite base doxyde dhafnium (HfO2) a reprsent une perce significative dans le domaine de la ferrolectricit (Bscke, Mller, et al. 2011). Ces matriaux, en phase ferrolectrique (FE), ont dmontr leur pertinence pour les applications mmoires, telles que les mmoires ferrolectriques (FeRAM) et les transistors effet de champ ferrolectrique (FeFET). </span></p><p></p><p><span>En plus de leur potentiel pour les mmoires, ces matriaux prsentent dexcellentes capacits de stockage dnergie (Magagnin et al. 2024), ainsi que des proprits pyrolectriques et lectrocaloriques, ouvrant la voie des applications varies : condensateurs haute densit nergtique, dispositifs de rcupration dnergie thermique (Hanrahan et al. 2019), capteurs infrarouges (Lehmkau et al. 2022) et systmes de refroidissement ltat solide (Samanta et al. 2022). Cependant, un dfi technique majeur demeure pour rpondre aux exigences spcifiques de ces applications : stabiliser les phases ferrolectriques et antiferrolectriques dans des couches de plus grande paisseur. En effet, au-del denviron 20 nm, les phases FE et AFE deviennent instables, voire disparaissent Choi, Moon, and Yoon 2019; Hyuk Park et al. 2013).</span></p><p><span>Lun des principaux objectifs de ce domaine de recherche est de stabiliser les proprits FE/AFE dans des couches minces dpaisseurs plus importantes, idalement de lordre de 50-100 nm. Cela permettrait de garantir le volume actif ncessaire pour rpondre aux besoins applicatifs au-del des mmoires. </span></p><p></p><p><span>Dans ce cadre, cette thse vise principalement concevoir, laborer et caractriser des condensateurs 3D base de HfO</span><span>&l