Requirements: French
Company: Aledia
Region: Isere , Auverge-Rhne-Alpes
Qui sommes-nous ?
Entreprise technologique innovante et pionnière dans le domaine des écrans à haute performance, nous développons des composants microélectroniques de dernière génération. Nos travaux sarticulent autour de solutions daffichage avancées, incluant notamment des µLEDs basées sur des nanofils 3D en GaN sur silicium. Dans le cadre du renforcement de nos équipes, nous recherchons un(e) Ingénieur(e) Device passionné(e) par les semi-conducteurs et linnovation de rupture.
Votre rôle
Rattaché(e) au Responsable du département Device et Process Integration, vous serez au cur de loptimisation des performances des µLEDs développées en interne. Vous interviendrez sur la caractérisation électro-optique avancée des composants, lanalyse des phénomènes physiques fondamentaux (transport de charges, recombinaison), ainsi que la définition de solutions damélioration concrètes en interaction avec les équipes pluridisciplinaires du projet.
Vos missions
Optimisation des µLEDs
- Analyser les performances électro-optiques des µLEDs (efficacité, uniformité, défectivité).
- Étudier les mécanismes de recombinaison et le transport de charges dans les structures.
- Définir et mettre en uvre des plans dexpériences pour améliorer les performances.
- Coordonner les actions avec les équipes dépitaxie, de caractérisation, de conception et de process.
Méthodologie de caractérisation
- Établir des plans de caractérisation adaptés (CL, PL, TEM, Raman, EDX, EBIC, IVLT).
- Collaborer étroitement avec les équipes de simulation et de développement.
- Garantir la qualité, la fiabilité et la traçabilité des mesures effectuées.
Développement de moyens de test
- Adapter ou concevoir des bancs de mesure spécifiques.
- Développer des routines danalyse de données exploitables par les équipes opérationnelles.
- Maintenir une veille technologique sur les outils de caractérisation.
Documentation et qualité
- Rédiger des rapports techniques détaillés.
- Présenter les résultats et les analyses en réunion projet.
- Participer à la mise en place de procédures qualité et à lanalyse de causes racines.
Innovation et propriété intellectuelle
- Contribuer à lidentification de verrous technologiques et à la création de brevets.
Profil recherché
Formation expérience
- Diplôme Bac+5 à Bac+8 (Master, Ingénieur, Doctorat) en physique des matériaux, microélectronique, ou semi-conducteurs.
- Expérience souhaitée en environnement RD, industriel ou académique à fort contenu technologique.
Compétences techniques
- Maîtrise des semi-conducteurs III-V, en particulier du GaN.
- Solide expérience en caractérisation électro-optique avancée.
- Connaissance du développement de bancs de test et de lanalyse de données complexes.
Langues
- Anglais courant indispensable (écrit et oral).
Qualités personnelles
- Esprit danalyse et de synthèse, autonomie, rigueur.
- Bon relationnel et goût du travail en équipe pluridisciplinaire.
- Capacité à évoluer dans un environnement innovant et exigeant.
Pourquoi nous rejoindre ?
- Technologie de rupture : Travaillez sur des projets à fort impact dans un secteur en pleine transformation.
- Environnement stimulant : Intégrez une équipe dynamique, multidisciplinaire et à la pointe de la recherche.
- Développement de carrière : Bénéficiez de perspectives dévolution dans une entreprise en forte croissance et tournée vers lavenir.
Type de contrat: CDI
Site : Champagnier
Horaire de travail: Temps plein, du lundi au vendredi, horaires de journée - télétravail possible
Publié le: 30/04/2025